特許

J-GLOBAL ID：200903014433200191

半導体装置の製造方法

発明者： 山根 秀一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258251
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112203
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、反射防止膜とAl配線層でのコンタクト抵抗を低減することができるとともに、Al配線層中へのNの拡散を十分抑えることができ、しかも、Al配線層のマイグレーションのための高温熱処理を十分行うことができ、良好な膜質のAl配線層を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することをを目的とする。【構成】 下地の膜4上にアルミニウム含有膜5を成長させる工程と、次いで、該アルミニウム含有膜5を高温熱処理して該アルミニウム含有膜5中のアルミニウムの結晶粒を成長させる工程と、次いで、該アルミニウム含有膜5上に反射防止膜7を形成する工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

下地の膜(4)上にアルミニウム含有膜(5)を成長させる工程と、次いで、該アルミニウム含有膜(5)を高温熱処理して該アルミニウム含有膜(5)中のアルミニウムの結晶粒を成長させる工程と、次いで、該アルミニウム含有膜(5)上に反射防止膜(7)を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N