特許
J-GLOBAL ID:200903014435271495
エバネッセント結合によって結合された個々の機能を持ついくつかのセクションを有するオプトエレクトロニックシステム、および製造プロセス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高島 一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-604501
公開番号(公開出願番号):特表2002-539617
出願日: 2000年03月07日
公開日(公表日): 2002年11月19日
要約:
【要約】本発明は、少なくとも3つのセクション(A、B、C)を含む光電子システムに関し、これらセクションは、特定のそれぞれの機能に対応し、かつそれぞれ異なった禁制帯エネルギー準位を有する。本発明は、当該3つのセクションが、エピタキシーによって重ね合わされた少なくとも2つの層(20、30)からなり、下層(20)に規定された中間セクション(B)の各側部上の上層(30)に範囲を定められた2つの分離した端部セクション(A、C)の形態に該セクションを定め、かつエバネッセント結合によって、該中間セクション(B)とそれを包囲する各端部セクション(A、C)との間を結合させるために、該上層(30)がエッチングされており、該上層(30)に規定されたセクションのうちの少なくとも1つの禁制帯のエネルギー準位が、キャリア注入によって制御されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
特定の各機能に対応しかつ異なる各バンドギャップエネルギーを有する少なくとも3つのセクション(A、B、C)を含むオプトエレクトロニックシステムであって、 これらの3つのセクションは、エピタキシーによって重ね合わされた少なくとも2つの層(20、30)からなり、 下層(20)に規定された中間セクション(B)の各側部上の上層(30)に規定された2つの分離した端部セクション(A、C)の形態へと該セクションを規定するために、かつエバネッセント結合によって該中間セクション(B)とその側面に位置する各端部セクション(A、C)との間を結合させるために、該上層(30)はエッチングされており、 当該システムにおいて、該中間セクション(B)の長さ(L)は、(K)が中間セクション(B)のグレーティングの結合係数を表すとして、積(K×L)が1に近くなるような長さであることを特徴とする、オプトエレクトロニックシステム。
IPC (3件):
H01S 5/026 616
, H01S 5/026 618
, H01S 5/343
FI (3件):
H01S 5/026 616
, H01S 5/026 618
, H01S 5/343
Fターム (5件):
5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB12
, 5F073AB21
, 5F073CA12
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