特許

J-GLOBAL ID：200903014447753410

半導体装置およびその製造方法

発明者： 林 重徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258243
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 金属酸化物からなるゲート絶縁膜の信頼性を向上させ、素子特性の向上をはかる。【解決手段】 ゲート絶縁膜に金属酸化物膜を用いる半導体装置の製造方法において、シリコン基板1上にPVD法で金属酸化物、もしくは金属窒化物状態で初期層21を成膜した後、CVD法で同種もしくは異種の金属酸化物層22を形成する。初期層21をPVD法で作製することにより、シリコン基板1と金属酸化物界面を制御性良く形成した後、CVD法で金属酸化物層を均一性良く形成する。ゲート絶縁膜の密着性、結晶構造を改善し、酸化膜換算膜厚、リーク電流を低減し、信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に第1の層を物理的成膜法により堆積し、前記第1の層の上に第2の層を化学的成膜法により堆積して前記第1の層と前記第2の層との高誘電率積層膜からなるゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD15 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE20 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140CE10