特許
J-GLOBAL ID：200903014451970298
強誘電体薄膜素子
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102587
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】強誘電体を十分に結晶化する高温における熱処理を行なうと、強誘電体薄膜の成分と絶縁膜が反応して変質して強誘電体特性が低下したり、クラックや膜間の剥離が発生する。【解決手段】基板(41)と、この基板(41)表面に設けられた酸化シリコンを主成分とする絶縁膜(42)と、この絶縁膜(42)上に設けられた複数の帯状の下部電極(43)と、前記絶縁膜(42)及び下部電極(43)上に設けられた鉛を含有しない強誘電体薄膜(44)と、この強誘電体薄膜(44)上に前記下部電極(43)と交差して設けられた複数の帯状の上部電極(45)とを具備することを特徴とする強誘電体薄膜素子。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板表面に設けられた酸化シリコンを主成分とする絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた複数の帯状の下部電極と、前記絶縁膜及び下部電極上に設けられた鉛を含有しない強誘電体薄膜と、この強誘電体薄膜上に前記下部電極と交差して設けられた複数の帯状の上部電極とを具備することを特徴とする強誘電体薄膜素子。
IPC (10件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
