特許
J-GLOBAL ID:200903014458379005
半導体装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-156747
公開番号(公開出願番号):特開2005-340479
出願日: 2004年05月26日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】様々な状況で外部より無給電の状態での動作が維持できる、より小型な半導体装置が実現できるようにする。【解決手段】半導体基板101の上に集積回路の形成された回路層102を備え、回路層102の上に、各々異なる種類の発電素子103と発電素子104とを備える。発電素子103及び発電素子104は、所定の配線により回路層102の集積回路に接続されている。また、半導体基板101の上に、集積回路が形成された回路領域102aを備え、半導体基板101の他の領域に、各々異なる種類の発電素子103と発電素子104とを備えるようにしてもよい。この場合においても、発電素子103及び発電素子104は、配線により回路領域102aの集積回路に接続されている。これらの構成において、例えば、発電素子103は、熱電発電素子であり、発電素子104は、振動発電素子である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板の上に形成された集積回路層と、
前記半導体基板の上に設けられた熱により発電を行う熱電発電素子と、
前記半導体基板の上に設けられた振動により発電を行う振動発電素子と
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件):
H01L21/822
, H01L21/3205
, H01L27/04
, H01L35/14
, H01L35/28
, H01L35/32
, H01L35/34
, H01L41/08
, H01L41/09
, H02N11/00
FI (10件):
H01L27/04 C
, H01L35/14
, H01L35/28 C
, H01L35/32 A
, H01L35/34
, H02N11/00 A
, H01L27/04 A
, H01L21/88 B
, H01L41/08 D
, H01L41/08 U
Fターム (20件):
5F033GG03
, 5F033HH06
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033MM05
, 5F033PP19
, 5F033PP26
, 5F033QQ08
, 5F033QQ16
, 5F038AC03
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC20
, 5F038CA02
, 5F038DF01
, 5F038DF17
, 5F038EZ06
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体熱電装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-127421
出願人:ゼロックスコーポレイション
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微小発電装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-343668
出願人:株式会社安川電機
審査官引用 (4件)
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センサシステム用半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-185450
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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半導体集積装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-311591
出願人:セイコーエプソン株式会社
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電子時計
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-089099
出願人:シチズン時計株式会社
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電子機器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-037303
出願人:セイコーインスツルメンツ株式会社
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