特許
J-GLOBAL ID：200903014461135729
走査電子顕微鏡などの反射電子検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219192
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068831
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 反射電子の検出感度に優れ、十分な検出電流量を得ることができる走査電子顕微鏡などの反射電子検出器を実現する。【構成】 半導体検出器9の試料3に対向した受光面をN形半導体(N+)層12で形成し、他方の面をP形半導体(P+)層10で形成している。すなわち、シリコン(Si)半導体のPIN層間に形成される空間電荷による電界Eに注目し、この電界Eが電子と正孔の移動に対して順方向に作用するように反射電子の受光面をN+層とした。
請求項（抜粋）：
試料へ電子ビームを照射し、試料からの反射電子を検出するPIN型半導体検出器であって、試料に対向した反射電子の受光面をN型半導体としたことを特徴とする走査電子顕微鏡などの反射電子検出器。
IPC (5件)：
H01J 37/244
, G01T 1/24
, G01T 1/28
, H01J 37/28
, H01L 21/027
