特許

J-GLOBAL ID：200903014462611630

プラズマ処理装置及び方法

発明者： 堀岡 啓治 ,  石川 吉夫
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324287
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144077
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ中のイオン密度及びイオンエネルギーを個別に変更し得る制御性を向上できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明によるプラズマ処理装置としてのエッチング装置10は、半導体基板1が収容され、プラズマを形成するためのガスが供給されるチャンバ14と、このチャンバ14内に設置され、半導体基板1を支持するサセプタ11と、このサセプタ11に対向して配置された対向電極13と、所定範囲の周波数から選択される任意の周波数を有する高周波電力を出力可能な高周波電源部4とを備え、高周波電力がサセプタ11に印加されることにより、チャンバ14内にプラズマが形成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理基体をプラズマによって処理するプラズマ処理装置であって、被処理基体が収容され、前記プラズマを形成するためのガスが供給されるチャンバと、前記チャンバ内に設置され、前記被処理基体を支持する支持部と、前記チャンバ内に設置され、前記支持部に対向して配置された対向電極と、所定範囲の周波数から選択される任意の周波数を有する高周波電力を出力可能な高周波電源部と、を備え、前記高周波電力が前記支持部及び前記対向電極のうち少なくともいずれか一方に印加されることにより、前記チャンバ内にプラズマが形成される、ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (31件)：

5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA27 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F045AA08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F045GB08 ,  5F045GB20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB09 ,  5F103BB60 ,  5F103NN10 ,  5F103RR02