特許
J-GLOBAL ID：200903014463442513
半導体発光素子装置、画像表示装置及び半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-345505
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156733
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】単純マトリクス方式を採用した時などにおける素子間の共通配線を用いる場合であっても、リーク電流の問題を抑えることの可能な画像表示装置を提供する。【解決手段】 光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の前記第1導電型クラッド層と接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みを100nm以上とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光を発生させる活性層を第1導電型クラッド層と反対導電型クラッド層で挟んで構成される複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を基板上に配列させ、該窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に接続する一方の電極を複数の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の間で共通配線させると共に、該第1導電型クラッド層の厚みが100nm以上とされることを特徴とする半導体発光素子装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
5C094AA09
, 5C094AA25
, 5C094BA12
, 5C094BA25
, 5C094CA19
, 5C094CA23
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094FB02
, 5C094FB14
, 5C094JA08
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041FF06
