特許
J-GLOBAL ID：200903014463702264
半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181201
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】吸水性が小さく、密着性および耐クラック性が高い半導体装置の絶縁膜、およびその絶縁膜の形成用塗布液の提供。【構成】チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも1種の元素と、ケイ素および酸素とを含む半導体装置の絶縁膜、およびその絶縁膜形成用塗布液。
請求項（抜粋）：
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも1種の元素と、ケイ素および酸素とを含む半導体装置の絶縁膜。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
