特許

J-GLOBAL ID：200903014483177280

堆積膜製造方法及び光起電力素子の製造方法

発明者： 塩崎 篤志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122184
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310862
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 所望のテクスチャー構造で、反射率が高く、安価で、信頼性の高い反射層と透明導電層を安定して得る。【解決手段】 成膜室を大気開放した後に、該成膜室を減圧し、該成膜室を所定の成膜温度以上に加熱した後、冷却または放冷し、該成膜室を所定の成膜温度に設定し、基板上に金属反射層を形成する工程と、該金属反射層表面に活性酸素を接触させる工程と、透明導電層を形成する工程とを有することを特徴とする堆積膜製造方法。

請求項（抜粋）：

成膜室を大気開放した後に、該成膜室を減圧し、該成膜室を所定の成膜温度以上に加熱した後、冷却または放冷し、該成膜室を所定の成膜温度に設定し、基板上に金属反射層を形成する工程と、該金属反射層表面に活性酸素を接触させる工程と、透明導電層を形成する工程とを有することを特徴とする堆積膜製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

C23C 14/06 N ,  C23C 14/56 A ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 31/04 V