特許
J-GLOBAL ID：200903014483463487
n型窒化ガリウム系半導体のコンタクト電極及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200161
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 n型窒化ガリウム系化合物半導体上のn型電極形成方法に於いては、低温のアニールまたはアニールなしで低いコンタクト抵抗が再現性良く得ることができなかった。【解決手段】 n型GaNコンタクト層1表面の酸素プラズマアッシャー処理を行ない(図1(a))、次にTi層2、Al層3、Pt層4、Au層5を順次形成した電極を形成する(図1(b))。酸素プラズマアッシングは、酸素圧力0.8torr、プラズマパワー200W、アッシング時間2分の条件で行なった。nコンタクト層の特性を測定したところ、[アニールなし]でオーミック特性が再現性良く得られ、コンタクト抵抗値は5×10-5Ωcm2 であった。酸素プラズマ処理の後にn型コンタクト層に対する酸処理を行なわず、酸素ドープ層表面に電極を形成すれば、アニールを行なわなくてもオーミック性のn型コンタクトが形成できる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系半導体のn型コンタクト層の表面近傍に高濃度の酸素ドープ層が形成され、前記酸素ドープ層上に電極金属が形成されていることを特徴とするコンタクト電極。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
