特許
J-GLOBAL ID：200903014490791872
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-138261
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128355
出願日： 1991年05月13日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱サイクルテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。(イ)次式等のフェノール(誘導体)とナフトアルデヒド(誘導体)を酸性触媒にて付加縮合させたものをグリシジルエーテル化し得られる、エポキシ樹脂。(ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。(B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔ただし(A)成分が上記(ロ)のみからなるときは、(B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。(ハ)次式等のフェノール(誘導体)とナフトアルデヒド(誘導体)を酸性触媒にて付加縮合させて得られる、フエノール樹脂。(nは0〜1)(ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。(C)無機質充填剤。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。(イ)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。(B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔ただし(A)成分が上記(ロ)のみからなるときは、(B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。(ハ)下記の一般式(2)で表されるフエノール樹脂。【化2】(ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。(C)無機質充填剤。
IPC (5件)：
C08G 59/32 NHQ
, C08G 59/08 NHK
, C08G 59/62 NJS
, H01L 23/29
, H01L 23/31
