特許

J-GLOBAL ID：200903014491836586

半導体装置およびその製造方法および半導体製造装置

発明者： 村上 友康 ,  矢野 航作 ,  上田 哲也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094034
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310605
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 接続孔内における配線金属間もしくは半導体層と配線金属間の接続を向上させる。【構成】 配線金属3、第二の層間絶縁膜4、接続孔5、金属膜6を形成した後、減圧下で基板表面に導電性化合物となる流動体8を回転塗布し、常圧下に戻すことにより接続孔5内の空洞7に流動体8を移動させ、その後流動体8を固化し、導電性化合物8’にする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜の所定領域に接続孔を開口する工程と、前記接続孔内の側壁および底部に少なくとも一層からなる金属を形成する工程と、大気圧よりも低い第一の圧力において、流動体で前記金属の表面を覆う工程と、前記基板を前記第一の圧力以上の第二の圧力にし、第一の圧力と第二の圧力の差を利用して前記接続孔内の空洞に前記流動体を移動させる工程と、前記接続孔内の前記流動体を固化し、電気導電性を有する化合物とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K