特許
J-GLOBAL ID：200903014494093363
LSI配線の修正方法及びその装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188594
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036840
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】レーザCVDにより、LSI上で高アスペクト比の接続穴の埋め込み、微細配線および幅広配線の形成を行い、配線の微細化、多層化の進むLSIの修正を確実に行う。【構成】CVDチャンバ50内に高NA対物レンズ14を設置し、レーザ光軸上に可変開口6と結像レンズ11を設け、観察、位置決めは高NAを利用しつつ、接続穴の埋め込みは実効的に最適なNAで、また配線形成は高NAでの微細配線および可変開口を投影することで任意幅の配線を形成する。【効果】これにより、微細化、多層化の進むLSIの配線修正が確実に行え、LSIの開発期間短縮が達成できる。
請求項（抜粋）：
CVDガス雰囲気で、LSIに形成した接続穴にレーザ光を集光照射し、導電材料を析出させて埋め込み、次いで接続配線を形成してLSI配線の任意箇所を接続して修正する方法において、照射するレーザ光のビーム径を変化することにより、集光するスポット径と焦点深度を変化させ、接続穴を埋め込むことを特徴とするLSI配線の修正方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, C23C 14/44
, C23C 16/48
, H01L 21/285
