特許

J-GLOBAL ID：200903014494491369

半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180777
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015085
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 低しきい値電流、高温動作を実現できる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型半導体基板11上に、多重量子障壁層13、歪量子井戸活性層16を順次積層して構成する。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上に、多重量子障壁層、歪量子井戸活性層を順次積層したことを特徴とする半導体レーザ素子。