特許
J-GLOBAL ID：200903014494508644
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173355
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018102
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 ダブルヘテロ構造の半導体発光素子の輝度及び効率を高める。【構成】 活性層4とこの一方及び他方の側に配置されたn型及びp型クラッド層とを備えたダブルヘテロ構造の半導体発光素子において、n型及びp型クラッドを、活性層4に隣接する第1のn型及びp型クラッド層3a、5aと、この第1のn型及びp型クラッド層3a、5aに隣接する第2のn型及びp型クラッド層3b、5bとで構成し、第1のn型及びp型クラッド層3a、5aのキャリア濃度を第2のn型及びp型クラッド層3b、5bのそれよりも低くすると共に、第1のn型及びp型クラッド層3a、5aの厚みをトンネル効果が発生しない0.015〜0.05μmとする。また、第1及び第2のp型クラッド層5a、5bをAlGaInPとし、第1のp型クラッド層5aにおけるAlGaに対するInの割合を第2のクラッド層5bにおけるそれよりも低くする。
請求項（抜粋）：
活性層と、この活性層の一方の側に配置されたn型クラッド層と、前記活性層の他方の側に配置されたp型クラッド層とを備えた半導体発光素子において、前記n型クラッド層と前記p型クラッド層との内の少なくとも一方が前記活性層に隣接する第1のクラッド層とこの第1のクラッド層に隣接する第2のクラッド層とを有し、前記第1のクラッド層は前記第2のクラッド層よりも低いキャリア濃度を有し且つ前記第2のクラッド層よりは薄いが量子力学的トンネル効果が生じる厚さよりは厚い厚さを有し、前記活性層と前記第2のクラッド層の間の電位障壁の高さが前記活性層と前記第1のクラッド層の間の電位障壁の高さよりも高く設定され、前記第1及び第2のクラッド層はAIGaInPから成り、前記第1のクラッド層のAlGaに対するInの割合が前記第2のクラッド層のAlGaに対するのInの割合よりも低く設定されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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