特許

J-GLOBAL ID：200903014494864408

半導体集積回路装置並びに信号伝送方法および信号伝送システム

発明者： 木村 昌治 ,  高橋 敏郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299680
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228144
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 バスによる信号伝送において、入力信号波形のリンギングを低減し、誤動作を防止し、ノイズの発生を防止しつつ信号伝達速度の向上を図る。【解決手段】 入出力端子に接続されたプルダウン用の出力MOSFET(Q1)およびプルアップ用の出力MOSFET(Q2)と、プルアップ用のQ2のゲートに結合されたゲート駆動信号発生回路DPGを含み、ゲート駆動信号発生回路DPGは、データの送信時、出力MOSFETQ1,Q2は送信すべきデータに応じて相補的にオン状態またはオフ状態にさせるように、Q2の動作を制御する、一方、ゲート駆動信号発生回路DPGは、データの受信時、ハイレベルのデータを受信した直後に、出力MOSFETQ2を一時的にオンさせる制御パルスを形成してMOSFETQ2のゲート端子に供給する。

請求項（抜粋）：

入出力端子(I/O)と、上記入出力端子(I/O)と第1電源端子(GND)との間に結合されたソースドレイン経路を有する第1出力MOSFET(Q1)と、上記入出力端子(I/O)と第2電源端子(Vtt)との間に結合されたソースドレイン経路を有する第2出力MOSFET(Q2)と、上記第1出力MOSFET(Q1)のゲートに結合され、送信すべきデーターに応答して、上記第1出力MOSFET(Q1)のゲートへ駆動信号を選択的に発生する第1ゲート駆動信号発生回路(GDV)と、上記入出力端子(I/O)にそのゲートが結合された入力MOSFET(Q32)を有する入力回路(IBF)と、上記第2出力MOSFET(Q2)のゲートに結合された上記第2ゲート駆動信号発生回路(DPG)とを含み、上記第2ゲート駆動信号発生回路(DPG)は、データの送信時、送信すべきデータに応答して、上記上記第2出力MOSFET(Q2)のゲートへ駆動信号を選択的に発生し、上記第1出力MOSFET(Q1)と上記第2出力MOSFET(Q2)とが相補的に動作するように、上記第2出力MOSFET(Q2)の動作を制御し、上記第2ゲート駆動信号発生回路(DPG)は、データの受信時、上記入出力端子(I/O)に供給されたハイレベルの入力信号に応答して上記入力回路から出力される入力信号に基づき、上記第2出力MOSFET(Q2)を一時的にオンさせるための制御信号を形成することを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (4件)：

H03K 19/00 101 K ,  H03K 19/00 101 Q ,  H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/00 101 S