特許
J-GLOBAL ID：200903014497581636
光半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112100
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 半絶縁性半導体埋め込み構造から成り、高い光出力を得ることが可能な光半導体素子を提供する。【解決手段】 n型InPホール注入阻止層5をFeドープ半絶縁性InP埋め込み層4上のみならず、p型InPクラッド層3上にまでかかるように形成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板上に、光導波層および第2の導電型のクラッド層が順次積層されたメサストライプと、前記メサストライプの両側面に形成された半絶縁性半導体埋め込み層と、前記半絶縁性半導体埋め込み層および前記メサストライプ上に形成され、前記メサストライプよりも幅の狭い開口部を前記メサストライプ上に有する第1の導電型のキャリア注入阻止層と、前記メサストライプおよび前記第1の導電型のキャリア注入阻止層上に形成された第2の導電型のオーバークラッド層と、を具備することを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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