特許

J-GLOBAL ID：200903014506391438

スパッタリング用ターゲット及びその製造方法

発明者： 橋本 頼重 ,  納田 文男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280009
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリング時に発生するパーティクル数を大幅に減少させることができ、したがって、半導体素子の歩留まりを大幅に向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。【構成】 ターゲットは、Na,Ca,Mg,Cu,Al,Cr,Mn,Fe,Niの合計を重量比で50ppm以下含み、残部がTiと不可避不純物からなり、かつ、これらの合計100重量部に対して重量比でO2を20〜1000ppm含み、さらに、最大結晶粒径が30μm以下である。また、製法は、Na,Ca,Mg,Cu,Al,Cr,Mn,Fe,Niの合計が重量比で50ppm以下、残部がTiと不可避不純物、かつ、重量比でO2を20〜1000ppm含む原料を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとし、該インゴットを圧下率50%以上で冷間圧延し、その後600°C未満の温度で熱処理する。

請求項（抜粋）：

ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計を重量比で50ppm以下含み、残部がチタンと不可避不純物からなり、かつ、これらの合計100重量部に対して重量比で酸素を20〜1000ppm含み、さらに、最大結晶粒径が30μm以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/35 ,  C01G 23/00