特許

J-GLOBAL ID：200903014510412288

半導体装置の製造方法

発明者： 濱田 悦男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-219894
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036074
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】 脆弱なウェーハの破損を防止する支持基板を接着剤のはみ出しや接着不足の著しく少ない良好な接着性をもって接着し、且つ接着剤の使用量を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ1表面に接着剤3を塗布し、半導体ウェーハ裏面を研削する際に半導体ウェーハ支持基板4を接着剤3を用いて半導体ウェーハ1に接着させ、接着剤3は半導体ウェーハ1の形状に沿って所定の間隔をもって複数の線で同心円状に塗布するか、一本の線で渦巻状に塗布する。接着剤のはみ出し及び未接着となる不良箇所の発生が著しく少ないで良好で安定した接着性を得ることが可能である。しかも使用する接着剤の量は従来の方法と同程度かそれ以下でありコストの増大を招くことがない。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ裏面を研削するに際して、前記半導体ウェーハ表面に接着剤を塗布する工程と、 半導体ウェーハ支持基板を前記接着剤を用いて前記半導体ウェーハに接着させる工程とを備え、 前記接着剤は、前記半導体ウェーハの形状に沿って所定の間隔をもって複数の線で同心円状に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/683

FI (2件)：

H01L21/304 622J ,  H01L21/68 N

Fターム (6件)：

5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA80 ,  5F031MA22 ,  5F031PA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体ウェーハの接着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049155   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社