特許

J-GLOBAL ID：200903014516907130

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 鳥居 善三 ,  野尻 一男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298825
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136101
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の製造工程において、フロンガスに代わる新たなエッチングガスを使用した配線加工技術を提供する。【構成】 半導体基板8上に堆積したMoSi2 膜14(またはWSi2 膜)の上にレジスト15を形成した後、MoSi2 膜14(またはWSi2 膜)をドライエッチングにより加工する際、エッチングガスとしてSF6 とBCl3とからなる混合ガスを使用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に堆積したMoSi2 膜またはWSi2 膜の上にレジストパターンを形成した後、前記MoSi2 膜またはWSi2 膜をドライエッチングにより加工する際、エッチングガスとしてSF6 とBCl3とからなる混合ガスを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。