特許

J-GLOBAL ID：200903014519353632

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343495
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189590
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 Cu膜配線が形成される半導体基板上の絶縁膜にクラックや窪みが生じることを防止し、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 この発明に係る半導体装置は、半導体基板1と、この半導体基板1上に形成され、開口部4を有する第1の絶縁膜2と、この開口部4の内壁部を覆う導電性膜5と、この開口部4の内部に埋め込こんで形成したCu膜配線61を備えた半導体装置において、このCu膜配線61の上端部が上記第1の絶縁膜2の表面から突出するように形成し、このCu膜配線61の上端部を第2の絶縁膜7で覆うようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の開口部内部に埋め込まれ、上端部が前記絶縁膜の表面から突出しているCu膜配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。