特許

J-GLOBAL ID：200903014523683167

半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

発明者： 高橋 理 ,  鈴木 慎一 ,  黒木 啓二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085408
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の製造コストを低減することのできる技術を提供する。【解決手段】 処理室DEのウエハステージ17上に置かれた半導体ウエハSWの温度を、赤外線ランプ20、温調液15、加熱ガス18aおよびペルチエ素子19の全て、またはこれらのうちのいずれかを用いて100〜250°C程度に加熱して、半導体ウエハSW上のW膜をエッチングした後、連続して半導体ウエハSWの温度を、温調液15、冷却ガス18bおよびペルチエ素子19の全て、またはこれらのうちいずれかを用いて-30〜80°C程度に冷却して、半導体ウエハSW上の多結晶シリコン膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に堆積された第1の膜および第2の膜からなる積層膜を加工する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体ウエハを100〜250°C程度に加熱して、前記第1の膜をエッチングした後、連続して同一処理室で前記半導体ウエハを-30〜80°C程度に冷却して、前記第2の膜をエッチングすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (50件)：

5F004BA01 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB27 ,  5F004BC04 ,  5F004BC08 ,  5F004CA01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA05 ,  5F083MA03 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA06