基板処理装置、及び、基板処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371406
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173784
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】エッチング液の層流の均一性をより均一に安定化して、エッチングレートを均一に安定化する。【解決手段】移送面6上で基板Pを移送し、移送面6に対向し2次元的に配置される複数点に吐出口9をそれぞれに有する複数ノズル要素8が配置されている。複数点のうちの3つの隣接複数点から吐出されるエッチング液の複数吐出流は基板Pの1点を覆う。特には、隣接点間がa、吐出口と移送面との間の距離がZ、ノズルから噴射される円錐流の開き角度が2θで表され、3点間でa≦tan(θ)・Zであることが理想的である。このような3点重合のエッチング液の局所的複合流は、全域的に層流21に生成されて局所的に乱流の生成を有効に防止し、その結果として、全域的に静的な層流21を基板プレート上に生成する。静的な層流の下で基板が処理を受け、基板の局所的処理が静的に実行され、結果的に、全域的にバラツキがなく均一・均質な処理を受ける。

請求項（抜粋）：

移送面上で基板を移送するための移送機器と、前記移送面に対向し2次元的に配置される複数点に吐出口をそれぞれに有する複数ノズル要素から形成されるノズル列とを含み、前記複数点のうちの3つの隣接複数点から吐出されるエッチング液の複数吐出流は前記基板の1点を覆う基板処理装置。

IPC (4件)：

C23F 1/08 103 , H01L 21/308 , H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (4件)：

C23F 1/08 103 , H01L 21/308 F , H01L 21/88 C , H01L 21/88 M

Fターム (26件)：

4K057WA10 , 4K057WB05 , 4K057WB08 , 4K057WE02 , 4K057WE04 , 4K057WM06 , 4K057WM08 , 4K057WM09 , 4K057WM18 , 4K057WN02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH20 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ33 , 5F033WW00 , 5F033XX00 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043BB16 , 5F043BB18 , 5F043EE07 , 5F043EE36 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-309981
特開平3-036724
特開昭62-202087

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