特許
J-GLOBAL ID：200903014535998732
有機EL素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223274
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 耐久性、耐熱性を有し、長寿命で、効率が改善され、動作電圧が低く、低コストでしかもリーク電流の発生を効果的に抑制することのできる有機EL素子を実現する。【解決手段】ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間には第1の無機絶縁性ホール注入層と、第2の無機絶縁性ホール注入層とを有し、前記第1および第2の無機絶縁性ホール注入層は、シリコンおよび/またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、主成分の平均組成を、(Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>)O<SB>y</SB>と表したとき前記第1の無機絶縁性ホール注入輸送層は、0≦x≦10<y<1.7前記第2の無機絶縁性ホール注入輸送層は、0≦x≦11.7≦y≦1.99である有機EL素子とした。
請求項（抜粋）：
ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間には第1の無機絶縁性ホール注入層と、第2の無機絶縁性ホール注入層とを有し、前記第1および第2の無機絶縁性ホール注入層は、シリコンおよび/またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、主成分の平均組成を、(Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>)O<SB>y</SB>と表したとき前記第1の無機絶縁性ホール注入輸送層は、0≦x≦10<y<1.7前記第2の無機絶縁性ホール注入輸送層は、0≦x≦11.7≦y≦1.99である有機EL素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/22 C
, H05B 33/14 A
3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA02
, 3K007EB00
, 3K007EC03
, 3K007FA01
