半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285094
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148684
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】電圧の加え方に関わらずに電界効果型トランジスタの高耐圧化を図ることを目的とする。【構成】Si基板11と、この基板11上にSi酸化膜12によって取り囲まれたN型の島状領域13と、この島状領域13内に設けられたP型のウェル16、17、上記ウェル内に設けられたN型のソース領域18と、ゲート電極Gとを具備した電界効果型トランジスタが形成される半導体装置において、島状領域13の底部にP型の電界緩和用の拡散領域22を設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に絶縁体層で囲まれた第1導電型の島状領域と、上記島状領域内に設けられた第2導電型のウェル領域と、上記ウェル領域内に設けられた第1導電型の第1拡散領域と、上記第1拡散領域と上記島状領域との間に位置する上記ウェル領域表面上に設けられたゲート電極とを具備し、上記島状領域をドレイン、第1拡散領域をソース、ウェル領域の一部をチャンネルとする電界効果型トランジスタが形成される半導体装置において、上記島状領域の底部に第2導電型の電界緩和用拡散領域を設けた具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/74 , H01L 21/762 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 616 S , H01L 21/76 D , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-189758
特開昭62-189758

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