特許
J-GLOBAL ID：200903014540295022
二重ゲート電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087386
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296795
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】従来の二重ゲート電界効果トランジスタにおいては、しきい値電圧を任意にかつ精度よく制御し得るものがなかった。【解決手段】過渡応答動作時において、二重ゲート電界効果トランジスタの一方のゲート電極に、通常の論理操作を行うための入力信号を印加し、他方のゲート電極にはその信号に対し、信号レベルの時間的変化方向が同一で、かつ信号の低レベルまたは高レベルの少なくとも一方を所定の値だけシフトさせた信号、または所定の時間差(進行または遅延でもよい)を持たせた信号、または信号の時間変化を遅くした信号を印加する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
二重ゲート電界効果トランジスタにおいて、第一のゲート電極に入力した信号に対し、信号の変化方向が同一であり、信号レベルが所定の値だけシフトした信号を第二のゲート電極に印加することを特徴とした二重ゲート電界効果トランジスタのゲート信号印加方法。
IPC (3件)：
H01L21/822
, H01L27/04
, H01L29/786
H01L27/04 F
, H01L29/78 617N
5F038BB05
, 5F038DF01
, 5F038DF07
, 5F038EZ20
, 5F110AA08
, 5F110BB03
, 5F110BB07
, 5F110EE03
, 5F110EE30
, 5F110GG02
, 5F110GG28
, 5F110NN71
