特許
J-GLOBAL ID：200903014542464492
入力保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-220503
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050933
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 内部回路用のトランジスタと、スナップバックブレークダウンの速い入力保護回路用のトランジスタとを同時に形成できるようにする。【解決手段】 十字形のゲート電極6bを形成し、且つ、前記ゲート電極6bの両側のソース/ドレインの不純物拡散層を、低濃度の不純物拡散層18b、19b及び高濃度の不純物拡散層4b、9bとすることにより、LDD構造の入力保護回路用トランジスタでもゲート電極6bの交差するB点により、電界集中を起こしやすくさせるので、スナップバックブレークダウンの速い入力保護用トランジスタを形成することが可能となるとともに、LDD構造を備えた周辺トランジスタの不純物拡散層を形成するためのイオン注入工程と同じ工程で入力保護回路用トランジスタの不純物拡散層を形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
素子活性領域において、少なくとも2つのゲート電極をある1点で交差させるとともに、少なくとも前記ゲート電極を挟んで4個の不純物拡散層領域を区分し、さらに、前記2つのゲート電極を前記素子活性領域において接続するとともに、前記素子活性領域において、前記ゲート電極を挟んで形成された不純物拡散層領域に低濃度の不純物拡散層及び高濃度の不純物拡散層を設けたことを特徴とする入力保護回路。
IPC (2件)：
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