特許

J-GLOBAL ID：200903014545593641

半導体製造装置

発明者： 磯野 僚多
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241460
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】基板の自転方向と公転方向を適切に設定し、自転と公転の回転数を適当な範囲にすることにより、HEMTのピンチオフ電圧等の特性の基板面内のバラツキを抑えた構造の半導体製造装置を提供すること。【解決手段】回転する板状のサセプタ1に、基板3を配設し、且つ成長面たる下面をガス流路4側に向けて支持し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガス6を流し、加熱された基板3上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、サセプタの回転軸2とは別に上記基板3を独立に回転可能に支持する基板回転軸9を設け、これによりサセプタ1および基板3の回転方向を共に時計回りもしくは反時計回りに回転させる構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

回転する板状のサセプタに、基板を配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、 サセプタの回転軸とは別に上記基板を独立に回転可能に支持する基板回転軸を設け、これによりサセプタおよび基板の回転方向を共に時計回りもしくは反時計回りに回転させる構成としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 Z ,  H01L29/203

Fターム (24件)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB02 ,  5F045CA07 ,  5F045DP15 ,  5F045EF02 ,  5F045EM10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01