特許
J-GLOBAL ID：200903014555860451
半導体製造装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328074
公開番号（公開出願番号）：特開平11-156698
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェーハに対して化学-機械的研磨(CMP)を行なうための半導体製造装置に関し、ウェーハ面内の研磨量のバラツキが少なく、均一性の高いCMP処理可能な半導体集積装置の製造方法を提供すること。【解決手段】研磨支持体1内では、圧力コントローラー8を通して、半導体ウェーハ4の裏面を加圧するための加圧用ガス7が通っている。ここで、半導体ウェーハ4にかかるウェーハ裏面荷重はA,B,Cからなる断面が逆テーパー状の孔よりウェーハ裏面にかかり、その圧力はA,B,C個別の圧力コントローラ8により各部の荷重量を制御可能となる。ウェーハ裏面荷重用ガスが吹き出す孔A,B,Cは、研磨支持体の研磨面に対し同心円状のドーナツ型に配置されている。【効果】研磨支持体面圧の局部的な荷重の偏りを補正する事ができる。これにより研磨量の均一性の向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハに対して化学-機械的研磨を行なうための装置であって、研磨スラリーによりウェットとなっている研磨パッドをその上に有する、回転可能な研磨テーブルと化学-機械的な研磨過程の間、半導体ウェーハを保持するための回転可能な研磨支持体において、被研磨体であるところの半導体ウェーハを研磨パッドへ接触させる荷重を半導体ウェーハ面内の各箇所毎に任意に制御が可能である事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
B24B 37/00 B
, H01L 21/304 321 H
