薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野由己男 , 稲積朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222423
公開番号（公開出願番号）：特開2005-049880
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】信号線と駆動集積回路の接触信頼度を確保する。【解決手段】絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。次に、保護膜180を積層しパターニングして、ゲート線またはデータ線の接触部を露出する接触孔182を形成した後、保護膜180の上部にIZOを積層しパターニングして、ドレーン電極と連結される画素電極と接触部と連結される接触部材を形成する。保護膜180は、接触部の上部の第1部分184、第1部分より膜厚の厚い第2部分188、第1部分と第2部分との間に位置し第1部分から第2部分に至るまで次第に厚さが増加し、5-10度の範囲の傾斜角を有するテーパ構造に形成されている第3部分186を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数の信号線、前記信号線と連結されている薄膜トランジスタ、前記信号線及び薄膜トランジスタの上に形成されている保護膜、前記保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスタに連結されている画素電極を含み、前記各信号線は外部と連結するための接触部を有し、前記接触部上における前記保護膜の膜厚は他の部分における膜厚より薄く、前記保護膜の膜厚が薄くなる部分が45度以下の傾斜角を有するテーパ構造に形成されている薄膜トランジスタ表示板。

IPC (4件)：

G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368

FI (5件)：

G09F9/30 330Z , G09F9/30 338 , G02F1/1333 505 , G02F1/1345 , G02F1/1368

Fターム (30件)：

2H090HA03 , 2H090HA04 , 2H090HA06 , 2H090HA08 , 2H090HB07X , 2H090HC11 , 2H090HD01 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H092GA43 , 2H092GA48 , 2H092GA60 , 2H092HA04 , 2H092HA19 , 2H092HA20 , 2H092JA26 , 2H092JB57 , 2H092KB04 , 2H092KB25 , 2H092NA18 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 5C094AA32 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA10 , 5C094FB12 , 5C094JA08 , 5C094JA09

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-145040 出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
フォトマスク及びアクティブ素子アレイ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-319443 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭62-035669

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