多層配線構造及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327735
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144180
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 AlCu膜103Cと、厚みが0〜15nmのTi膜との反応によりAl3 Ti層103DをAlCu膜とTiN膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつAl3 Ti層形成時に発生する引張り応力を低減し、EM耐性を向上させる。その後のFSG膜104AをHDP-CVD法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を450°C以下にすることにより、FSGとAlCuの熱膨張率差に起因するAlCu膜の残留引張り応力の発生を低減し、SM耐性及びEM耐性を向上させる。さらに、FSG膜の上にSiON膜を設けることにより、FSG膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。

請求項（抜粋）：

基板の下地絶縁膜の上に設けられ少なくともアルミニウム合金膜を含む下層配線と、上記下地絶縁膜及び下層配線を覆う層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜を貫通して上記下層配線に到達するヴィアコンタクトを埋める導体材料からなるプラグと、上記プラグに接続されて上記層間絶縁膜の上に延びる上層配線とを備え、上記層間絶縁膜のうち少なくとも上記下層配線間を埋める部分はフッ素を含む酸化膜であり、上記層間絶縁膜のうち上記フッ素を含む酸化膜の上方に位置する部分は、Si及びNを含む絶縁膜であることを特徴とする多層配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 A , H01L 21/88 N

Fターム (58件)：

4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD18 , 4M104DD23 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH09 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK09 , 5F033KK10 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033MM14 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033NN17 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS17 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX14 , 5F033XX19 , 5F033XX24

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