特許
J-GLOBAL ID：200903014573694348
化合物薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-055544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267856
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 高品質の化合物薄膜を高速で成膜する形成方法を提供する。【構成】 反応容器中に被成膜基体を配置し、少なくとも二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記被成膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方の化合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうちの少なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプラズマ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他の原料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いたうえで前記基体表面に照射することを特徴とする化合物薄膜の形成方法。【効果】 あらかじめ分解された構成元素に半導体元素と化合する元素を含む気体と、構成元素に半導体元素を含む気体から生成した反応種が効率良くかつ均一に基板面に入射されるため、高速かつ均一に高品質な半導体化合物薄膜が形成できる。
請求項（抜粋）：
反応容器中に被成膜基体を配置し、少なくとも二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記被成膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方の化合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうちの少なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプラズマ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他の原料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いたうえで前記基体表面に照射することを特徴とする化合物薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 29/784
