特許
J-GLOBAL ID：200903014588787261
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221717
公開番号（公開出願番号）：特開平6-068676
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 リファレンスセルの値をリファレンスセル用センスアンプが読み出すことによりデータ用センスアンプに与える電源を必要最小限の期間にする。【構成】 アドレスが決まって充分な時間を経た後端子15から入力されるシステムクロックCLKの立下りでSRラッチ9を介しセンスアンプ4a〜4n、リファレンスセル用センスアンプ7の電源が入る。リファレンスセル1のレベルがリファレンスセル用センスアンプ7で増幅され出力レベルがハイの論理レベルに達した時データ用センスアンプ4a〜4nの出力をラッチ5a〜5nでラッチしディレイ回路13で遅らせてからセンスアンプ4a〜4n、リファレンスセル用センスアンプ7の電源をSRラッチ9を介して切る。メモリのデータはラッチ5a〜5nに蓄えたものが読み出される。
請求項（抜粋）：
リファレンスセルと、前記リファレンスセルに接続されるリファレンスセル用センスアンプと、前記リファレンスセル用センスアンプの出力により動作するコントロール回路と、メモリセルと、前記メモリセルに接続されるデコーダと、前記デコーダに接続されるセンスアンプと、センスアンプに接続されるラッチ回路と、前記ラッチに接続されるバッファ回路から成る半導体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 A
