特許
J-GLOBAL ID：200903014589934608
II-VI族化合物半導体装置の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128993
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335985
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 しきい値電流Ithの増加を来すことなく確実に低接触抵抗をもって電極のコンタクトを行うことができようにする。【構成】 GaAs基板1上に、II-VI族化合物半導体層31を形成して後に、GaAs基板1の裏面に電極13を形成し、この電極13側からレーザ光を照射して、電極13の基板1に対するアロイ処理を行う。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、II-VI族化合物半導体層を形成して後に、上記GaAs基板の裏面に電極を形成し、該電極からレーザ光を照射して上記電極の上記基板に対するアロイ処理を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体装置の製法。
IPC (2件)：
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