特許

J-GLOBAL ID：200903014595424662

半導体装置及びその製造方法

発明者： 遠藤 守
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026611
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217244
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 AlとTiの反応を抑えることにより、少なくともAlを含む配線中のAl-Ti反応層の割合を小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜5に形成された配線用溝5aと、この配線用溝5aの底部に形成された互いに結晶方位の異なる2層のTiN層12と、この2層のTiN層12の上に形成され、上記配線用溝5aの内部に埋め込まれたAl合金配線15aと、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成された溝又は穴と、この溝又は穴の底部に形成された互いに結晶方位の異なる2層のTiN層と、この2層のTiN層の上に形成され、上記溝又は穴の内部に埋め込まれた少なくともAlを含む配線と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

Fターム (31件)：

4M104BB14 ,  4M104BB37 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033LL06 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033SS11 ,  5F033XX28