特許
J-GLOBAL ID：200903014599412219
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049635
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251387
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト抵抗を低下すること。【構成】 コンタクトホールにバリアメタル層を形成した後、イオン注入とアニールを付してからコンタクトホールにタングステンを埋込む。【効果】 接合リークを無くすことができるとともに、低抵抗コンタクトを実現できる。
請求項（抜粋）：
コンタクトホールが形成された絶縁膜を有するSi基板上にCVD法を用いてバリアメタル層を形成し、続いて、イオン注入を付してSi基板とバリアメタル層との界面のイオンミキシングを行い、熱処理を付した後タングステンをコンタクトホールに埋込むことからなる半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/265
, H01L 21/28
