特許
J-GLOBAL ID：200903014604630742
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012945
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209266
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 TEOSガスとオゾンガスとを含む混合ガスを使用して酸化シリコン膜を形成する際に、下地に影響されない、高性能な酸化シリコン膜とすることができる半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離用絶縁膜としての酸化シリコン膜7aは、TEOSガスとオゾンガスとTMPガスまたはTMBガスとの混合ガスを用いて形成されており、その酸化シリコン膜7aには、微量なn型の不純物または微量なp型の不純物が含有されている。
請求項（抜粋）：
基板上に酸化シリコン膜からなる絶縁膜を有する半導体集積回路装置であって、前記酸化シリコン膜は、TEOSガスとオゾンガスとを含む混合ガスを用いて形成されており、前記酸化シリコン膜には、微量なn型の不純物または微量なp型の不純物が含有されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/316 X
