特許
J-GLOBAL ID:200903014616634603

インライン式プラズマCVD装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩野入 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-101504
公開番号(公開出願番号):特開平5-295551
出願日: 1992年04月22日
公開日(公表日): 1993年11月09日
要約:
【要約】【目的】 インライン式プラズマCVD装置において、基板を所定の温度とするまでの昇温時間が短く、また、小型、軽量で装置コストの少ないものとする。【構成】 インライン式プラズマCVD装置において、基板に予備加熱を行う大気加熱炉と、前記大気加熱炉からの予備加熱された前記基板を搬送する連結ダクトと、前記連結ダクトから搬送された基板を真空中で所定の温度まで加熱を行うロード室と、基板表面に膜形成を行う反応室と、基板の冷却を行うアンロード室とを連続して配置する。
請求項(抜粋):
インライン式プラズマCVD装置において、(a)基板に予備加熱を行う大気加熱炉と、(b)前記大気加熱炉からの予備加熱された前記基板を搬送する連結ダクトと、(c)前記連結ダクトから搬送された基板を真空中で所定の温度まで加熱を行うロード室と、(d)基板表面に膜形成を行う反応室と、(e)基板の冷却を行うアンロード室とを連続して配置してなることを特徴とするインライン式プラズマCVD装置。
IPC (2件):
C23C 16/50 ,  H01L 21/31

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