特許

J-GLOBAL ID：200903014617686119

高周波用バンプの形成方法

発明者： 柳原 浩
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255689
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084917
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 生産性が良く、高さ、形状が均一で、表面が平滑で、接続が安定し、しかも接続時の熱影響による半導体素子やプリント基板の歪を吸収できて疲労破壊が生ぜず、また電極パッドにおけるクレータリングの発生を防止でき、さらに表面の導電層に高周波信号が十分に流れ、且つ直流信号にも何ら問題がなく、低い抵抗で機能する高周波用バンプを提供する。【構成】 ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に、パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ型の感光性レジスト又は感光性ポリイミドを用いて角柱又は円柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部及びクッションバンプの全面を包み込むように、密着用Ti薄膜 100Å〜3000Å又はPd薄膜 100Å〜3000Åを形成し、その上に導電用Au薄膜1000Å〜10μm又はCu薄膜1000Å〜10μmを形成する高周波用バンプの形成方法。

請求項（抜粋）：

ウェハー上の半導体素子の電極パッド部上に、パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ型の、感光性レジスト又は感光性ポリイミドを用いて角柱又は円柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部及びクッションバンプの全面を包み込むように、密着用Ti薄膜 100Å〜3000Å又はPd薄膜100Å〜3000Åを形成し、その上に導電用Au薄膜1000Å〜10μm又はCu薄膜1000Å〜10μmを形成することを特徴とする高周波用バンプの形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 B