特許

J-GLOBAL ID：200903014626527902

ドーピング方法およびイオン注入装置

発明者： 横田 勝弘
出願人/特許権者： 財団法人大阪産業振興機構
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382189
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188110
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 浅いp形層またはn形層を形成することができるドーピング方法、およびイオン注入装置を提供する。【解決手段】 第1および第2のイオン源11aおよび11bと、第1のイオン源11aから引き出されたイオンの質量分離を行う第1の質量分離器13aと、第2のイオン源11bから引き出されたイオンの質量分離を行う第2の質量分離器13bと、第1および第2の質量分離器13aおよび13bで分離されたイオンを基板20に導入するための導入手段とを備える。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にドーピングを行う方法であって、100°C以下の温度のシリコン基板に、0.1keV〜15keVの範囲内のエネルギーで不純物イオンを注入し0.01keV〜4keVの範囲内のエネルギーで水素イオンを注入する第1の工程と、前記シリコン基板を600°C〜900°Cの範囲内の温度で熱処理する第2の工程とを含むことを特徴とするドーピング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317

FI (6件)：

H01L 21/265 603 A ,  C23C 14/48 A ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 37/317 C ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 F

Fターム (12件)：

4K029AA06 ,  4K029BA32 ,  4K029BA33 ,  4K029CA10 ,  4K029DE02 ,  4K029DE03 ,  4K029EA00 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5C034CC01 ,  5C034CC02 ,  5C034CD07