特許

J-GLOBAL ID：200903014626933919

半導体装置の製造方法

発明者： 山下 富生 ,  藤田 和範
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-252434
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077194
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】エッチング工程を省略することにより寸法変換差を無くすことができるとともに製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、コンタクトホールなどの開口部形成領域に、レジスト膜3を形成する工程と、レジスト膜3以外の領域に、絶縁膜4を形成する工程と、レジスト膜3を除去することにより、絶縁膜4にコンタクトホール8aなどの開口部を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

開口部形成領域に、ダミー膜を形成する工程と、前記ダミー膜が形成された領域以外の領域に、絶縁膜を形成する工程と、前記ダミー膜を除去することにより、前記絶縁膜に開口部を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L

Fターム (52件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104DD06 ,  4M104DD19 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ57 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR09 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34