半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303416
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127284
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】トレンチパワートランジスタのソース領域およびチャネル領域の設定制御性を向上させることのできる技術を提供することにある。【解決手段】トレンチゲート構造のパワートランジスタQのゲート絶縁膜8およびゲート部3を形成した後に、パワートランジスタQのチャネル領域5およびソース領域6を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板に溝を形成する工程、(b)前記溝内に、溝の底部の方が溝の側面よりも相対的に厚くなるようにゲート絶縁膜を形成する工程、(c)前記ゲート絶縁膜形成工程後に、前記溝内にゲート部を形成する工程、(d)前記ゲート部形成工程後に、前記半導体基板にチャネル領域を形成するための不純物を導入する工程、(e)前記ゲート部形成工程後に、前記半導体基板にソース領域を形成するための不純物を導入する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-211885
特開平4-093084
特開平4-017371

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