有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120763
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312992
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】段差を有する下地材料層上に形成された有機系反射防止膜を、高精度にパターニングするプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】分子内にニトロシル基またはニトリル基と、ハロゲン原子とを有するハロゲン系化合物、例えばNOClを含むエッチングガスにより有機系反射防止膜6をプラズマエッチングする。【効果】レジストパターン7およびパターニングされつつある有機系反射防止膜6の側面に、エッチング耐性に優れた炭素系ポリマを主体とする強固な側壁保護膜8が形成されるので、アンダーカットや寸法変換差が防止される。

請求項（抜粋）：

下地材料層上に形成された有機系反射防止膜を、分子内にニトロシル基およびニトリル基のいずれか一方と、ハロゲン原子とを有するハロゲン系化合物を含むエッチングガスを用いるとともに、被エッチング基板上に炭素系ポリマを堆積しつつエッチングすることを特徴とする有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G02B 1/11 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E , G02B 1/10 A , H01L 21/30 574

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