特許
J-GLOBAL ID：200903014632722687
フォトマスクブランクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118944
公開番号（公開出願番号）：特開2003-315980
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記方法は、前記マスクパターンを形成するための膜の少なくとも一層を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程とを有することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, C23C 14/34
, C23C 14/58
, H01L 21/027
G03F 1/08 L
, G03F 1/08 A
, C23C 14/34 S
, C23C 14/58 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BB38
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DA08
, 4K029EA08
