特許
J-GLOBAL ID：200903014633932197
プラズマエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319587
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】均一な分布の高密度プラズマが得られ、これにより試料上のエッチング速度が均一となり、また試料内にダメージが発生しないプラズマエッチング装置を提供する。【構成】反応室2の上部外壁12上に複数の磁場コイル1を放射状に配置し、隣り合う磁場コイル1に互いに逆位相の交流電流を流して発生させた磁場によりプラズマの高密度化を行なう。
請求項（抜粋）：
上部外壁と側部外壁とにより囲まれた反応室と、前記反応室内に設けられた電極と、前記反応室内にエッチングガスを導入するガス導入管とを具備し、磁場によりプラズマの高密度化を行なうプラズマエッチング装置に於いて、前記反応室の上部外壁上に複数の磁場コイルを放射状に配置し、隣り合う磁場コイルに互いに逆位相の交流電流を流して前記磁場を発生させることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 G
, H01L 21/302 B
