特許

J-GLOBAL ID：200903014645581365

コンデンサ内蔵セラミック多層回路板の製法

発明者： 加藤 修治 ,  荻原 覚 ,  小川 敏夫 ,  長谷川 満 ,  神村 典孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071812
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283380
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【構成】 絶縁層と誘電体層とを積層し、該誘電体層をコンデンサの誘電体として積層板内部に1個以上のコンデンサを形成したセラミック多層回路板の製法において、比誘電率が40以上の誘電体層上に、該誘電体層の焼成温度よりも少なくとも200°Cは低い焼成温度を有し、焼成後の比誘電率が10以下の絶縁層用グリーンシートを積層した後、前記誘電体層の焼成温度よりも200°C以下の温度で焼成するコンデンサ内蔵セラミック多層回路板の製法。【効果】内蔵コンデンサの総容量を大きくできるので高密度実装が可能なセラミック多層回路板を提供することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁層と誘電体層とを積層し、該誘電体層をコンデンサの誘電体として積層板内部に1個以上のコンデンサを形成したセラミック多層回路板の製法において、焼成後の比誘電率が10以下の絶縁層用グリーンシートと、焼成後の比誘電率が40以上の誘電体層用グリーンシートのいずれか一方の焼成温度が、他方の焼成温度よりも少なくとも200°Cは低い焼成温度のグリーンシートを用い、前記焼成温度が高い方のグリーンシートを所定の温度で焼成して焼成体を形成し、次に、該焼成体に前記焼成温度の低い方のグリーンシートを積層した後、前記焼成体の焼成温度よりも200°C以下の温度で焼成することを特徴とするコンデンサ内蔵セラミック多層回路板の製法。

IPC (3件)：

H01G 4/12 418 ,  H01G 4/20 ,  H05K 3/46