特許
J-GLOBAL ID：200903014647304822

磁気メモリ

発明者：
古賀 啓治

古賀 啓治 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-370440
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173597
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】 磁化反転に必要な電流量を低減可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁界アシストがない場合のスピン注入磁化反転に要する書き込み電流の閾値は5×107A/cm2であるが、磁界アシストをスピン注入と同時に用いた場合にはスピン注入磁化反転に要する書き込み電流の閾値は2.5×107A/cm2となり、さらに磁気ヨークを用いた場合には、スピン注入磁化反転に要する書き込み電流の閾値は5×106A/cm2となった。すなわち、磁気ヨークと磁界アシストを用いたスピン注入磁化反転型の磁気メモリの書き込み電流の大きさは、磁界アシストがない場合の書き込み電流の1/10、磁界アシストがあって磁気ヨークがない場合の書き込み電流の1/5に低減することができた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の記憶領域を配列してなる磁気メモリにおいて、 個々の前記記憶領域は、 第1配線と、 第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との間に配置され、且つ、前記第1配線と前記第2配線に電気的に接続された磁気抵抗効果素子と、 スピン注入によって前記磁気抵抗効果素子における感磁層の磁化の向きが変化するよう、前記磁気抵抗効果素子に設けられたスピンフィルタと、 前記第1及び第2配線を流れる電流によって発生する磁界を前記感磁層内に導くように前記磁気抵抗効果素子を囲む磁気ヨークと、 を備えていることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 U
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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