特許

J-GLOBAL ID：200903014654822502

半導体装置及びその製造方法

発明者： 福本 吉人 ,  川上 信之 ,  木下 隆 ,  平野 貴之 ,  井上 憲一
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257234
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 大量生産でき、実装する半導体素子のインピーダンス不整合を防止して高周波信号の損失を著しく低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 上面に外部回路であるマイクロストリップライン5が形成された樹脂基板1上に、高周波半導体素子2が配置され、この半導体素子2上に可撓性を有するテープフレーム3が配置されている。テープフレーム3の下面には高周波信号用のマイクロストリップライン8が形成されており、このマイクロストリップライン8により、樹脂基板1上に形成された外部回路である高周波用のマイクロストリップライン5と半導体素子2とが接続されている。

請求項（抜粋）：

誘電体からなる第1の基板と、この第1の基板上に形成された第1の配線と、前記第1の基板上に配置された半導体素子と、この半導体素子上に配置された可撓性を有する第2の基板と、前記第2の基板上に形成された第2の配線とを有し、この第2の配線により前記第1の配線と前記半導体素子とが接続されるものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/14

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/14 R

Fターム (2件)：

5F044KK03 ,  5F044KK09