特許
J-GLOBAL ID：200903014663990728
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075115
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】側壁酸化膜を形成することなく、ゲ-ト電極下の任意の領域にn- 拡散層を形成し、そのMOSFETの高信頼性を実現する。【構成】p型のシリコン基板201上には、誘電体膜、例えばシリコン窒化膜204が形成される。窒化膜204には、開口部206が形成される。窒化膜204をマスクにして、リンが、基板201面に対し所定の角度の方向から基板201中へ注入される。その結果、ゲ-ト電極下であって、基板201表面の任意の領域にn- 拡散層が形成される。開口部206内にはゲ-ト酸化膜211が形成される。ゲ-ト酸化膜211上にはポリシリコン膜212が形成される。窒化膜204が除去されると、ゲ-ト電極213が形成される。この後、ゲ-ト電極213をマスクにして不純物が注入され、ソ-スおよびドレインが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の表面領域に形成されるソ-ス領域およびドレイン領域と、前記ソ-ス領域およびドレイン領域の間のチャネル領域上に形成されるゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極下であって、前記ドレイン領域に接する領域にのみ形成され、所定の濃度を有する不純物領域とを具備することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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